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发力12英寸晶圆存储器,国产存储又添一名“猛将

http://www.tzgcjie.com 来源:新浪财经            发布时间:2017-10-31 18:24:58

     近日,国产半导体厂商DRAM产业又添一名“猛将”,继福建晋华、合肥长鑫、长江存储之后,兆易创新也将开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目。详情一起来了解!

我国DRAM产业又添了一名“猛将”

10月26日,兆易创新正式宣布与合肥市产业投资控股(集团)有限公司签署了《关于存储器研发项目之合作协议》,双方将在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程 19nm 存储器的 12 英寸晶圆存储器(含 DRAM 等)研发项目(以下简称“本次合作”或“本项目”)。

该项目预算约为 180 亿元人民币,项目研发及生产的DRAM等优先供其公司销售并满足其客户的市场需求,以及优先承接其DRAM产品的代工需求。

据悉,该项目开展工艺制程19nm 存储器的 12 英寸晶圆存储器(含 DRAM 等)的研发,目标是在 2018 年12 月 31 日前研发成功,即实现产品良率(测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例)不低于 10%。因此这次的合作,对国产DRAM产业无疑是一个重大的推进。

DRAM将获得充足的产能供应

近年来,随着国家不断加大对存储产业的建设、加强对数据信息安全存储的重视,产业扶持政策和新项目投资都持续升温。

从我国发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》可以看到,截止目前为止国家大基金/华芯投资已投资50多个项目,40多家企业,中国集成电路产业前进的步伐正在进行中。

目前,存储晶圆制造项目正在施工,拟建成业界先进工艺制程的DRAM存储器晶圆研发项目,计划2017年厂房建成,2018年上半年完成设备安装和调试,预计下半年生产。

若项目顺利实施,将可助力我国在DRAM存储芯片上提高竞争力,以及获得充足的产能供应,有效地填补我国高端DRAM制造业的空白。

存储芯片国产化步伐正在加快

事实上,除了兆易创新,其他的DRAM企业的发展脚步也在加速。

早在去年7月份,台湾晶圆代工厂联电与我国福建晋华集成电路公司合作的12吋随机存取记忆体(DRAM)生产线(晋华项目)就已正式开工。据报道,该项目1期拟投入53亿美元,建设晶圆产线、产业链配套等,预计2018年9月试产,并达到月产6万片的规模。

而东芯半导体,采用先进的24nm闪存工艺已成功研发出8Gb SLC/16Gb MLC NAND闪存产品,这标志着我国已经具备以先进制程工艺来开发、设计及制造一系列闪存芯片的能力,进一步缩小了与国际厂商技术水平间的差距。

随着国内硅格半导体等控制芯片设计厂商的不断自我提升和超越,其在存储行业制造、设计研发等能力方面正在微露锋芒,未来在全球存储市场将占有一席之地,进一步加快存储芯片国产化的步伐。

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